高速原子層沉積(ALD)

高速原子層沉積(ALD)

200、300 mm晶圓ALD系統
適用於高深寬比結構的先進研發、試量產及量產
高度可配置
• 可沉積最多5種金屬前驅物與最多4種氧化劑來源
• 可沉積多金屬薄膜與多金屬氧化物
• 業界領先的膜厚均勻性
• 業界領先的顆粒表現
• 高生產力與製程表現
• 優異的側壁覆蓋能力